這些失效模式使用基本推力試驗(yàn)，其中主要試驗(yàn)變量是推力高度和推力速度。涉及的失效模式是打線(xiàn)與pad或芯片之間合金層中的粘合失效。粘合質(zhì)量問(wèn)題是由于不正確的粘合工藝、材料質(zhì)量或粘合老化造成。

一、金和銅球

（1）IMC 失效

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

（2）多數(shù)殘留失效

?粘接強(qiáng)度未知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?粘接強(qiáng)度良好或粘接測(cè)試不良

（3）Pad crater

?已知pad強(qiáng)度

?可接受性取決于強(qiáng)度

?可能為打線(xiàn)機(jī)問(wèn)題

（4）Bond failure

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?可能非常弱的粘合

（5）剪切高度不一致的多數(shù)殘留失效

?粘接強(qiáng)度未知

?測(cè)試不良、樣品夾緊不良或bond tester問(wèn)題

二、錫球或錫塊

（1）多數(shù)殘留失效

?粘接強(qiáng)度未知

（2）Pad failure

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

（3）Pad crater

?已知pad強(qiáng)度

?可接受性取決于強(qiáng)度

（4）Bond failure

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?可能是弱粘合

（5）IMC 失敗

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

三、錫球和銅柱

推力高度設(shè)定于銅柱高度以測(cè)試與基板粘合強(qiáng)度或設(shè)定于錫球高度以測(cè)試粘合。這可能是non-wet故障模式。

推力高度必須大于銅柱才能剪切錫球。因此，最佳剪切高度是銅柱的高度+ 2 μm。

四、芯片推力

（1）芯片粘合失效

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?可能是弱粘合

（2）基板失效

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

（3）Bond failure

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

（4）基板粘接失效

?粘結(jié)強(qiáng)度已知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?可能是弱粘合

（5）芯片斷裂

?粘接強(qiáng)度未知

?模具強(qiáng)度已知

?可接受性取決于 強(qiáng)度

（6）芯片碎裂

?粘接強(qiáng)度未知

?可接受性取決于強(qiáng)度

?測(cè)試不良或可能的最大測(cè)試力

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